原标题：高性能多结VCSEL助力车规级激光雷达性能升级
据Yole发布的《VCSEL技术、产业和市场趋势》报告，预计VCSEL出货量将从2018年的7.38亿美元增长至2024年的37.75亿美元，年平均增长率31%。
目前主流采用的红外发射激光光源的VCSEL芯片，主要是采用单结VCSEL，单孔出光功率一般是5-10mW, 芯片为了达到更大的出光功率，通常考虑增大发光面积。这种做法相应地增加了发光面尺寸、物料成本，对光学设计的难度增加，同时降低了光功率密度，而且也让终端产品尺寸难以小型化以及感应距离不够远的问题；尤其是对车载激光雷达更是难以达到更远的测量距离。
针对以上痛点，新亮光子2020年优化光芯片结构设计和制作工艺，开发出出光功率更高的940 nm双PN结VCSEL（Dual junction VCSEL）芯片，采用双结VCSEL轴向结构和先进的氧化限制技术，低波长漂移0.07nm/℃，发散角（1/e2）只有25°，比同行小5°左右；高可靠性85℃下也性能卓越，25℃下PCE高达56.34%，单孔ns级脉冲光功率密度超过10000W/mm2，单孔ns级脉冲峰值功率超过2W，而且发光面积小易准直，可帮助缩小光传感器模块尺寸、简化光学设计和系统架构，真正从芯片端打破光传感技术局限。
双PN结VCSEL芯片将在激光雷达广泛应用，还有包括人脸面部识别、机器视觉、智能家居、3D传感器、测距传感器、雷达、红外照明、医疗应用、接近传感器、数据传输（调制带宽>2 Gbps）等在内的更广阔应用前景。
据Yole发布的《VCSEL技术、产业和市场趋势》报告，预计VCSEL出货量将从2018年的7.38亿美元增长至2024年的37.75亿美元，年平均增长率31%。
目前主流采用的红外发射激光光源的VCSEL芯片，主要是采用单结VCSEL，单孔出光功率一般是5-10mW, 芯片为了达到更大的出光功率，通常考虑增大发光面积。这种做法相应地增加了发光面尺寸、物料成本，对光学设计的难度增加，同时降低了光功率密度，而且也让终端产品尺寸难以小型化以及感应距离不够远的问题；尤其是对车载激光雷达更是难以达到更远的测量距离。
针对以上痛点，新亮光子2020年优化光芯片结构设计和制作工艺，开发出出光功率更高的940 nm双PN结VCSEL（Dual junction VCSEL）芯片，采用双结VCSEL轴向结构和先进的氧化限制技术，低波长漂移0.07nm/℃，发散角（1/e2）只有25°，比同行小5°左右；高可靠性85℃下也性能卓越，25℃下PCE高达56.34%，单孔ns级脉冲光功率密度超过10000W/mm2，单孔ns级脉冲峰值功率超过2W，而且发光面积小易准直，可帮助缩小光传感器模块尺寸、简化光学设计和系统架构，真正从芯片端打破光传感技术局限。
双PN结VCSEL芯片将在激光雷达广泛应用，还有包括人脸面部识别、机器视觉、智能家居、3D传感器、测距传感器、雷达、红外照明、医疗应用、接近传感器、数据传输（调制带宽>2 Gbps）等在内的更广阔应用前景。
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