原标题：资讯 | IBM造出全球首颗2nm芯片，晶体管密度可达5nm两倍
如今台积电的5nm工艺正在热火朝天地生产着，3nm也正在快马加鞭地研究，而在其竞争对手三星那边，也正在抓紧研究3nm，争取早日赶上台积电的脚步。
正在人们还在猜测谁家的3nm工艺会率先商用量产时，全球第一颗2nm工艺的芯片就已经诞生了。
IBM，这个曾经的蓝色巨人已经沉寂在我们脑海里许久，但是不出手则已，一出手便是王炸。
5月6日，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片，采用了GAA（环绕栅极晶体管）技术，三层。IBM介绍，这是第一次使用底介电隔离通道，它可以实现12 nm的栅长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。
其密度可达3.33亿晶体管/mm2，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的2.9晶体管/mm2要高，指甲盖大小的芯片就有500亿晶体管。
IBM表示，在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45%，输出同样性能则减少75%的功耗。
还有一些细节，那就是IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈，高度75nm，宽度40nm，栅极长12nm，纳米片高度5nm——里面没有一个参数是2nm的，因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。
IBM 研究室主任达里奥・吉尔（Darío Gil）称：“归根结底还是晶体管，计算领域的其他一切都取决于晶体管是否变得更好。但不能保证晶体管会一代又一代地向前发展，因此，每当有更先进的晶体管出现时，这都是件大事。”
虽然IBM成功地造出了2nm芯片，不过量产2nm工艺的难度也不小，因为现在这个技术还是实验室生产的，还并没有达到可以量产的地步，此外据说这次2nm工艺还有三星、英特尔的参与，后面两家有可能吸纳部分2nm工艺技术。
根据IBM的说法，2nm工艺预计在2024年量产，这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。
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