原标题：国产骄傲！长江存储芯片，存储密度远超三星、SK海力士、美光
众所周知，在存储芯片领域，不管是在DRAM内存，还是在NAND闪存上，三星、SK海力士、美光都是当之无愧的巨头，三家掌握着市场。
当然国产存储也是在奋起直追，比如长鑫存储主攻DRAM内存，目前也推出了DDR4颗粒，而长江存储已经推出了128层的闪存，基本上也追上了三星、SK海力士、美光的水平。
而近日，有机构拆解了长江存储的一款128层TLC 3D闪存，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。
拆解的设备是Asgard（阿斯加特）的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，采用的是长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC闪存，其die尺寸（晶圆大小）为 60.42 mm²，折算下来存储密度达到了8.48 Gb/mm²。
为何长江存储的存储密度这么高，这与长江存储的Xtacking架构有关，像三星等厂商的传统3D NAND架构中，相当于平面型结构，其中外围电路约占芯片面积的20~30%，这样面积大，存储密度就低了。
众所周知，在存储芯片领域，不管是在DRAM内存，还是在NAND闪存上，三星、SK海力士、美光都是当之无愧的巨头，三家掌握着市场。
当然国产存储也是在奋起直追，比如长鑫存储主攻DRAM内存，目前也推出了DDR4颗粒，而长江存储已经推出了128层的闪存，基本上也追上了三星、SK海力士、美光的水平。
而近日，有机构拆解了长江存储的一款128层TLC 3D闪存，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。
拆解的设备是Asgard（阿斯加特）的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，采用的是长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC闪存，其die尺寸（晶圆大小）为 60.42 mm²，折算下来存储密度达到了8.48 Gb/mm²。
为何长江存储的存储密度这么高，这与长江存储的Xtacking架构有关，像三星等厂商的传统3D NAND架构中，相当于平面型结构，其中外围电路约占芯片面积的20~30%，这样面积大，存储密度就低了。
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