原标题：三星的512GB DDR5 RAM模块快如闪电
三星的512GB DDR5 RAM模块。
三星周四透露了其512GB DDR5 RAM模块，其速度为DDR4的两倍，每秒7200兆比特。它旨在处理数据密集型超级计算，人工智能和机器学习过程。
为了进行消费者级别的比较，Apple的 $ 1,000 MacBook Air仅配备8GB RAM。
该模块使用硅穿孔（TSV）技术堆叠八层16GB DRAM芯片，以达到512GB的容量。它还采用了英特尔的High-K Metal Gate（HKMG）技术，该技术通常用于逻辑半导体而不是存储器，而不是典型的绝缘层。这允许更高的芯片密度，同时减少了电流泄漏。
它将节省大约13％的电量，这对于耗电的数据中心而言非常重要。
“通过将这种类型的过程创新引入DRAM制造，我们能够为客户提供高性能，高能效的内存解决方案，以为医学研究，金融市场，自动驾驶，智慧城市及其他领域所需的计算机提供动力，”三星DRAM集团副总裁Young-Soo Sohn在新闻稿中说。
首次发布时间为2021年3月25日，太平洋标准时间上午9:08。
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