原标题：英飞凌CFO：将根据中国发展的大框架制定公司战略
每经记者：朱成祥 每经编辑：文多
11月6日，英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后，将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线，满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。
进博会现场，英飞凌工作人员介绍道：“功率半导体主要应用于电力设备的电能变换和电路控制，比如说强电转为弱电，弱电转为强电。这是因为强电功率更大但不安全，因此在实际使用的时候才转化为弱电。反之，太阳能电池板发电后，电力需要向电网输送，就需要通过逆变器将弱电转换为强电。”据其介绍，国内两大逆变器厂商阳光电源、华为均大量使用英飞凌的功率半导体。
MOS管（即MOSFET），和IGBT管是目前主流的两种功率半导体。对于两者的区别，上述工作人员补充道：“IGBT主要控制大功率（电力设备），MOS管用于控制低功率（电力设备）。”
英飞凌科技首席运营官Jochen Hanebeck表示：“中国在英飞凌的全球业务中占有重要的战略地位。无锡工厂的升级扩能，不仅能进一步提升我们在中国的产能，而且还将帮助英飞凌巩固其在全球IGBT业务发展中的领导地位。”
英飞凌CFO Sven Schneider在现场接受《每日经济新闻》记者采访时还表示：“我们非常高兴地看到中国推出新的政策、新的框架。我们觉得这是非常好的，英飞凌将根据中国发展的大框架制定公司战略。”
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